2010-4-25 17:29:05 | 显示全部楼层 | 阅读模式
这段时间在做Ta2O5的工艺试验。但是做出来的效果很不理想,吸收情况特别严重,而且在单面反射测量时,在620nm以后的反射率偏大(和膜系理论设计比较)。因是初次接触这种药材,这一个礼拜摸索下来,觉得很吃力。所以,在这请教下各为大侠,对该药材因该注意那方面参数(如,冲氧量、蒸发速率......).
     我目前的工艺参数是: 冲氧后真空室压力为:  2.4E-2Pa;
                    电子枪蒸镀(没有离子源)功率为:  360Am;
                                            真空室温度为:   320℃;  
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2010-6-5 04:11:06
加离子源
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2010-6-5 13:59:22
...............................................................
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2010-6-5 23:55:14
有可能是膜料本身问题
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2010-6-8 09:47:37
没有离子源,很难镀出没有吸收的薄膜,但是应该吸收不会很高的,是不是速率太低,建议提高点速率试试。基板温度够高了,调调氧分压
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2010-6-8 12:50:56
楼上说的挨个试试!!!!!
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2010-6-14 15:14:13
Ta2O5没有离子源也是可以的。你的速率是多少?
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2010-6-23 09:04:33
你的实际温度有多少??不开离子源问题不是很大,短波那边是会有点吸收
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2010-6-29 19:04:31
能否把曲线发上来。
看了曲线就一目了然了。
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2010-7-28 16:04:19
试试镀完后再加问退火
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2010-8-3 17:35:59
可能材料的问题  SIO2确认一下
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2010-8-5 17:43:30
吸收.......1. 修倍率   2. 氧壓  3. 電子槍速率  
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