2010-6-23 13:49:59 | 显示全部楼层 | 阅读模式
哪位大侠知道:
我想在一种晶体镀膜,膜层材料是二氧化硅。
但镀膜过程中的温度能控制在160度一下吗?
另外膜层的厚度对温度有影响吗,膜层厚度能做到6000nm以上吗?

就这两个问题。

先谢谢了。
主题回复
倒序浏览

3851查看6回复

2010-6-23 14:31:30
可以
那看什么晶体了
试试就知道了
举报 回复
2010-6-29 19:38:01
但镀膜过程中的温度能控制在160度一下吗?
要看基材。

另外膜层的厚度对温度有影响吗,膜层厚度能做到6000nm以上吗?
可以达到,疑惑在于 sio2为什么单层要多这么厚呢?有什么讲究吗?
举报 回复
2010-7-1 14:18:26
但镀膜过程中的温度能控制在160度一下吗?
要看基材。

另外膜层的厚度对温度有影响吗,膜层厚度能做到6 ...
z1206l 发表于 2010-6-29 19:38



基材是InGaN,厚度我是想尽量做厚一些,避免出现光的干涉现象。

举报 回复
2010-8-4 22:46:40
其实我想知道怎样根据基片性质设定温度啊???
举报 回复
2010-8-5 17:32:59
鍍膜在160度以下,.........可以並建議加IAD
举报 回复
2010-9-26 23:10:46
最好加上IAD工艺。膜层较牢。
举报 回复
发新帖
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则