晶控仪XDM-3K 

cxtwo
2014-3-31 10:21:47
借问一下，挡板打开后，速率上下浮动较大，要过一会才能稳定 怎么办？

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MorningTech
挡板打开初始，是真实沉积速率受干扰的最严重时刻！！！它的控制过程应该与速率建立起来以后有所区别！呵呵  发表于 2014-4-1 10:14
MorningTech
因为存在 速率信号受干扰的时候， 如果最大功率太大，对抗干扰不利。 所以最大功率仅比正常蒸发功率高一点是比较合适的。  发表于 2014-4-1 10:12
MorningTech
比例大了，会初始振荡。 把最大功率降一下，也有效果的(作用相近)。有的朋友认为最大功率就是功率上限，可以设的很大且不用调，我最早也这么认识。  发表于 2014-4-1 10:10
rollo_tomasi
如果开挡板后会震荡，那这是很典型的PID比例问题，你可以研究一下楼主之前发的帖子，有关于PID调节的方法，你可以尝试一下！  发表于 2014-3-31 13:02
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optixlt
2014-3-31 11:02:10
诸葛流星 发表于 2013-11-26 08:48
我也只是个外行人，不懂镀膜，只是和朋友聊天时的恼骚罢了，也许你们的晶控是顶级的。我也不想用老外的东西 ...

对国货应该有一份宽容，声明一下:我不是该公司的托，也还不认识该公司的一个人....

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MorningTech
有点意思的是，还没确定是用我们的晶控，我们是去年才推向市场的，上海还有别家的产品，也还不错吧，呵呵。  发表于 2014-4-1 10:06
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2014-3-31 12:45:11
optixlt 发表于 2014-3-31 11:02
对国货应该有一份宽容，声明一下:我不是该公司的托，也还不认识该公司的一个人....

谢谢。我们对产品的质量是非常有信心的，呵呵。
那个用户仍未取得过联系，中间商也不方便透露情况。或是因为我们机器还不为大家熟悉，用户不太会使用我们的机器。
到现在为止，其他用户没有反应比进口差的，呵呵。

今年，我公司将加大宣传力度，通过我们的产品让大家对国产机器重新树立信心，绝不比进口的差。

有兴趣的可以来上海松江我们公司，顺便看看用户实际镀膜情况。他们在实际生产中，是把Ix6及x60换下用我们的产品。前面的贴图都来自他们公司的真实数据。

小吹一下，如果你没接触过 XDM 晶控仪，即使你做过很多年镀膜工艺，这里面也许还会有些东西是你感兴趣的。 有的是你想到的，但现有其他仪器未实现的。也会有你没仔细想过，但我们想到并通过机器实现的。
如果你有什么新的好的想法，可以与我们研发人员沟通。给我们好的建议也是帮助我们进步。

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MorningTech
冰冻三尺，非一日之寒。  发表于 2014-3-31 12:48
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2014-3-31 13:01:08
不论如何，就冲楼主的这份坚持与耐心，大家就应该给个赞。希望以后有机会能真正接触到你们的晶控仪，那将是我的荣幸！
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2014-3-31 13:10:45
cxtwo 发表于 2014-3-31 10:21
借问一下，挡板打开后，速率上下浮动较大，要过一会才能稳定 怎么办？

初始速率浮动大，后来小，并趋于稳定，可能是起始振荡。
可以将 P 系数 调小点，并将 最大功率调到正常功率略高一些。

//前几天刚跟一个QQ上的朋友交流过这个问题，x10， 他是调低些最大功率，就稳定些了。
//分析：初始挡板打开，此时速率并不真实，其值甚至为负， 晶控仪 会根据PID算法，加到很大功率来试图 调整到设定速率，很容易到达最大功率。 如果最大功率被设的很大，  速率马上又变得远超过 设定速率， 晶控仪又很快的降低功率。  因为中间夹杂着 延迟，温度效应等，使得会产生一段时间速率振荡(功率在上下浮动！)。  
   这在蒸发SiO2上是容易模拟出来的。

  另外，降低 P 系数的作用，就是让晶控仪调节慢一点。

除上面所说，如果是我们的XDM晶控仪，还有几个手段都可以让 初始速率上升更平稳的，呵呵。可以看看前面贴图。


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2014-4-7 21:09:16
借这个贴子，问下大家对晶控仪的看法，什么样的晶控仪是你想要的，现有晶控仪有什么需要改进的地方，等。
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2014-4-8 21:29:42
博士你好，我现在用的是INFICON的IC6膜厚控制仪，为什么高折射材料H4和低折射材料SIO2的蒸镀速率稳定性相差那么大啊，当镀H4时速率很稳定，而镀SIO2时速率控制不了，别外这两种材料都有PID控制环，增益也是按说明设为10.0埃/秒/%,虽然我用的膜厚仪不是你的XDM-3K,因为你是晶控仪的专家所以想向你寻求点帮助,我要怎样设置材料参数才能 使SIO2的速率稳定住呢.
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2014-4-9 08:10:18
你需要首先排除电子枪、膜料、速率和功率的问题，再去排除PID的问题！
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2014-4-9 09:03:58
本帖最后由 MorningTech 于 2014-4-17 18:18 编辑

如楼上所说，先排除硬件问题。方便的话，请将SiO2控制时的图片拍下来，还有SiO2的 控制延迟，最大功率、预熔阶段参数、G，Tc,Td参数。

//第三删
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2014-4-10 21:55:30
博士，多谢你的精辟讲解！我看了受益匪浅，对了还有个现象我没说清楚，当我连续用一个晶振片镀了两炉以上，晶振寿命下降后，再继续用的话，如果我选定膜系并打开蒸发自动控制开关但还没开始镀膜，这时有个现象我不理解，就是当这个膜系的第一层是SIO2则速率跳动很大，而如果第一层是别的材料则速率基本上不会跳动，等真到镀膜时镀SIO2速率就波动很大，但我就是不知道为什么会出现上面那种现象，还望你能给我及所有镀膜人员传授一下你的妙论呢

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MorningTech
一些泛泛而谈而已，你做镀膜时间长了，自己也会总结出来的，也欢迎你把自己的想法及经验与大家分享。坛子里很多真高手的，我只是站出来显摆一下，假把式，呵呵。  发表于 2014-4-11 13:19
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2014-4-11 09:03:28
本帖最后由 MorningTech 于 2014-4-17 18:17 编辑

1. 使用过的晶振片暴露大气中。
2. 未正式成膜时，速率跳动不同。 是因为，速率是按照当前层材料来计算的。
XDM-3K晶控仪首页就有个 晶振片损耗指标，并以颜色区分显示，可直观的看到此时，应该是损耗值变大了。
//第二删
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2014-4-11 21:16:57
MorningTech 发表于 2014-4-11 09:03
1. 使用过的晶振片暴露大气中，所镀膜层由于疏松而吸附水汽，表面或也会吸附些粉尘，甚至水冷过头而在表面产 ...

多谢！哈哈你说的这么仔细，我将会去看说明书慢慢理解的，谢谢了！
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