请教一个问题：
如何计算 半导体在飞秒激光激发下的载流子浓度？
本征GaAs，根据飞秒激光的脉宽、波长等参数如何来确定受激载流子浓度呢
哪位大侠指点一下，或者推荐参考资料
不胜感激
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