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l 高消光比 >1000:1
l 波前畸变 <λ/10
l 低电容，上升时间短 ～2pF
l 高透过率 >98.5%
l 高损伤阈值 >850MW/cm2
l 无静态双折射
l 无热弥散效应
l 高重复频率300kHz未出现压电振铃效应
l 无光折变损伤
l 镀增透膜的保护性石英窗口
l 防静电损伤和具有散热特性的氧化合金铝外壳
l 耐高压和具有优良散热特性的的陶瓷内芯
l 无任何封胶或粘合剂
BBO电光Q开关因其独特的物理特性和优异的光学品质而广泛使用于高脉冲功率、高重复频率、窄脉宽激光系统。
目前市场上所能获得的BBO晶体具有优异的光学质量，其消光比 >2000:1（使用632nm He-Ne激光测量），波前畸变 <λ/10 @632.8nm。
BBO晶体的应用波段范围为190-3300nm；QSB系列BBO 电光Q开关使用经过高抗损伤膜的窗口片后，在300-2000nm波段内，透过率 >98.5%。
BBO 电光Q开关电容小，约为2pF，因而上升时间短，一般 <300ps。在调Q时所产生的脉冲激光脉宽窄，一般 <300ps。
与市场化的电光晶体相比，BBO晶体具有最高的损伤阈值，在脉宽10ns，波长为1064nm，重复频率 1 Hz的激光下，损伤阈值 >850MW/cm2。
BBO晶体为单轴晶体，因此在较大的温度变化范围内BBO 电光Q开关不会出现静态双折射现象。
BBO电光Q开关热性能稳定，热弥散效应小；在相同功率下使用，与目前市场化的电光晶体相比， BBO电光Q开关因温度变化引起的半波电压以及折射率变化最小。BBO晶体不同于LiNbO3晶体，不存在光折变损伤。
BBO 电光Q开关在重复频率为300kHz使用时，未出现压电振铃效应。
BBO电光Q开关为横向加压使用，可以通过改变BBO晶体纵长比减小其半波电压，以达到期望的半波电压要求。
QSB系列BBO 电光Q开关基于工业化的实际应用，除外观表面处理达到国际标准要求外，在考虑其安全性应用的同时，外壳采用防静电损伤和具有散热特性的氧化合金铝，内芯采用具有优良散热特性且耐高压的陶瓷；还增加了镀增透膜的保护性窗口设计，以提高器件的使用寿命；不仅如此，QSB系列BBO电光Q开关在装配过程中，不使用任何封胶或粘合剂，因而在使用过程中，不会出现对器件和整个激光器系统的污染性影响。
QSB系列BBO电光Q开关与四川九斗星光电有限公司的电光Q开关驱动源组成电光Q开关系统，在1064nm DPSS，重复频率为50KHz时，，可长时间稳定运行。
[ 本帖最后由 robinhand413 于 2008-7-23 15:45 编辑 ] |
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